Diferență între NMOS și PMOS
NMOS vs PMOS
Un FET (tranzistor cu efect de câmp) este un dispozitiv controlat în tensiune în cazul în care capacitatea sa de curent de încărcare este modificată prin aplicarea unui câmp electronic. Un tip de FET utilizat în mod obișnuit este FET pentru semiconductori de oxid metalic (MOSFET). MOSFET sunt utilizate pe scară largă în circuite integrate și aplicații de comutare de mare viteză. MOSFET funcționează prin inducerea unui canal de conducție între două contacte numite sursă și scurgere prin aplicarea unei tensiuni pe electrodul de poartă izolat cu oxid. Există două tipuri principale de MOSFET numite nMOSFET (denumite în mod obișnuit NMOS) și pMOSFET (cunoscute în general sub denumirea de PMOS), în funcție de tipul de suport care circulă prin canal.
Ce este NMOS?
Așa cum am menționat mai devreme, NMOS (nMOSFET) este un tip de MOSFET. Un tranzistor NMOS este alcătuit din surse de tip n și scurgere și un substrat de tip p. Atunci când se aplică o tensiune la poartă, găurile din corp (substrat de tip p) sunt îndepărtate de poartă. Aceasta permite formarea unui canal de tip n între sursă și scurgere și un curent este transportat de electroni de la sursă la canalul de scurgere printr-un canal de tip n indus. Porțile logice și alte dispozitive digitale implementate utilizând NMOS se spune că au logică NMOS. Există trei moduri de funcționare într-un NMOS numit cut-off, triodă și saturație. Logica NMOS este ușor de proiectat și fabricat. Dar circuitele cu porți logice NMOS disipă puterea statică atunci când circuitul este în gol, deoarece curentul DC curge prin poarta logică când ieșirea este scăzută.
Ce este PMOS?
Așa cum am menționat mai devreme, PMOS (pMOSFET) este un tip de MOSFET. Un tranzistor PMOS este alcătuit din surse de tip p și drenaj și un substrat tip n. Atunci când se aplică o tensiune pozitivă între sursă și poarta (tensiune negativă între poartă și sursă), se formează un canal de tip p între sursă și canal cu polarități opuse. Un curent este purtat prin găuri de la sursă la canalul de scurgere printr-un canal indus de tip p. O tensiune ridicată pe poartă va determina un PMOS să nu efectueze, în timp ce o tensiune scăzută pe poartă o va provoca. Porțile logice și alte dispozitive digitale implementate utilizând PMOS se spune că au logică PMOS. Tehnologia PMOS este ieftină și are o imunitate bună la zgomot.
Care este diferența dintre NMOS și PMOS?
NMOS este construit cu surse de tip n și scurgere și un substrat de tip p, în timp ce PMOS este construit cu sursă de tip p și scurgere și substrat de tip n. Într-un NMOS, purtătorii sunt electroni, în timp ce într-un PMOS, purtătoarele sunt găuri. Când se aplică o tensiune ridicată la poartă, NMOS va efectua, în timp ce PMOS nu va. Mai mult, atunci când o tensiune joasă este aplicată la poarta, NMOS nu va conduce și PMOS va conduce. NMOS sunt considerate a fi mai rapide decât PMOS, deoarece transportatorii din NMOS, care sunt electroni, călătoresc de două ori mai repede decât găurile, care sunt transportatorii în PMOS.Dar dispozitivele PMOS sunt mai imune la zgomot decât dispozitivele NMOS. Mai mult, IC-urile NMOS ar fi mai mici decât ICS-urile PMOS (care dau aceeași funcționalitate), deoarece NMOS poate oferi o jumătate din impedanța furnizată de un PMOS (care are aceleași condiții geometrice și de operare).
