Diferența dintre BJT și IGBT

BJT vs IGBT

BJT (tranzistor bipolar de legături) și IGBT (tranzistor bipolar cu izolație de poartă) Ambele dispozitive au joncțiuni PN și diferite în structura dispozitivului. Deși ambele sunt tranzistoare, ele au diferențe semnificative în ceea ce privește caracteristicile.

BJT (tranzistor bipolar de legătură)

BJT este un tip de tranzistor care constă din două joncțiuni PN (o joncțiune realizată prin conectarea unui semiconductor de tip p și a unui semiconductor de tip n). Aceste două joncțiuni se formează prin conectarea a trei piese semiconductoare în ordinea lui P-N-P sau N-P-N. Prin urmare, sunt disponibile două tipuri de BJT-uri, cunoscute ca PNP și NPN.

Trei electrozi sunt conectați la aceste trei părți semiconductoare, iar plumbul intermediar se numește "bază". Alte două joncțiuni sunt "emițător" și "colector".

În BJT, curentul emițător mare (I

c _{) este controlat de curentul emițătorului mic de bază (I} B _{) și această proprietate este exploatată pentru a proiecta amplificatoare sau comutatoare. Prin urmare, acesta poate fi considerat ca un dispozitiv condus de curent. BJT este utilizat în principal în circuitele de amplificare.} IGBT (tranzistor bipolar cu poartă izolată)

IGBT este un dispozitiv semiconductor cu trei terminale cunoscute sub denumirea de "emițător", "colector" și "poartă". Este un tip de tranzistor, care poate manevra o cantitate mai mare de energie și are o viteză de comutare mai mare, ceea ce îl face foarte eficient. IGBT a fost introdus pe piață în anii 1980.

IGBT are caracteristicile combinate ale tranzistorului de joncțiune MOSFET și tranzistorului bipolar (BJT). Este o poartă condusă ca MOSFET și are caracteristici de tensiune actuale ca BJTs. Prin urmare, are avantaje atât de capacitate ridicată de manipulare a curentului, cât și de ușurință în control. Modulele IGBT (compuse dintr-un număr de dispozitive) se ocupă cu kilowați de putere.

Diferența dintre BJT și IGBT

1. BJT este un dispozitiv acționat curent, în timp ce IGBT este condus de tensiunea de poartă

2. Terminalele IGBT sunt cunoscute ca emițător, colector și poartă, în timp ce BJT este realizat din emițător, colector și bază.

3. IGBT-urile sunt mai bune în manipularea puterii decât BJT

4. IGBT poate fi considerată o combinație de BJT și un FET (Field Effect Transistor)

5. IGBT are o structură complexă de dispozitive comparativ cu BJT

6. BJT are o istorie lungă în comparație cu IGBT

Diferența dintre BJT și IGBT

Recomandat